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昌暉儀表聊薄膜鉑熱電阻

2017/11/5 16:28:23 人評(píng)論 次瀏覽 分類:溫度測(cè)量  文章地址:http://m.prosperiteweb.com/tech/1592.html

薄膜鉑熱電阻由一種新的鉑熱電阻生產(chǎn)技術(shù)生產(chǎn),即用膜工藝改變?cè)械木€繞工藝,制備薄膜鉑熱電阻。它是由亞微米或微米厚的鉑膜及其依附的基板組成。它的測(cè)溫范圍是-50-600℃。目前國(guó)產(chǎn)薄膜鉑熱電阻精度可達(dá)到德國(guó)標(biāo)準(zhǔn)(DIN)中的B級(jí),技術(shù)上與國(guó)際先進(jìn)水平尚有差距。由于薄膜熱容量小,熱導(dǎo)率大,而基板又是很好的絕緣材料,薄膜鉑熱電阻能準(zhǔn)確地測(cè)出所在表面的真實(shí)溫度。

1、薄膜鉑電阻的特點(diǎn)
①可制成高阻值元件(如1000Ω),適合配用顯示儀表,使用方便,穩(wěn)定可靠。
②靈敏度高,響應(yīng)快,在流速為0.4m/s的水中,響應(yīng)時(shí)間(τ0.5)為0.15s。
③外形尺寸小(約5mm×2mm×1.3mm),便于安裝在狹小的場(chǎng)所。
④可大批量自動(dòng)化生產(chǎn),成本低,約為同類繞線電阻價(jià)格的1/2-1/3。
⑤缺點(diǎn)是抗固體顆粒正面沖刷性能差。

2、薄膜鉑電阻的設(shè)備
制備的方法有真空沉積及陰極濺射法等。主要工藝流程如下:基板炎魔拋光→清洗→鉑蒸鍍或真空沉積在氧化鋁基板上→激光自動(dòng)刻阻→截取單支元件→超聲熱壓焊接引線→涂玻璃釉→通電檢測(cè)與篩選。

3、薄膜鉑電阻的電阻與溫度關(guān)系
鉑熱電阻的電阻由兩部分組成:隨溫度變化的電阻RT及不隨溫度變化的剩余電阻Rt。它們的電阻與溫度的關(guān)系為:
R(T)=RT+Rt=100×{1+RT/(RT+Rt)×A×T+RT/(RT+Rt)×B×T2},公式中A和B為常數(shù)。

4、薄膜鉑電阻應(yīng)用
薄膜鉑熱電阻的生產(chǎn)工藝成熟,產(chǎn)量高。適用于表面、狹小區(qū)域、快速測(cè)溫計(jì)需要高阻值元件的場(chǎng)合。

最近薄膜鉑熱電阻制作工藝又有所改進(jìn)。把鉑研制成粉漿,采用感光平板印刷技術(shù),將鉑附著在陶瓷基片上形成鉑膜。膜厚在2μm以內(nèi)加上引線,保護(hù)釉經(jīng)激光刻阻制作而成。

這種薄膜鉑熱電阻具有良好的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。在600℃溫度下工作1000h后,其電阻變化<0.02%。

薄膜鉑熱電阻的引線隨工作溫度不同而異:
-200~150℃時(shí),引線材質(zhì):鈀銀合金。Φ0.25mm×10mm。
-50~400℃時(shí),引線材質(zhì):鈀銀合金。Φ0.25mm×10mm。
-50~600℃時(shí),引線材質(zhì):鉑鎳合金。Φ0.25mm×10mm。
-60~850℃時(shí),引線材質(zhì):鉑銠合金。Φ0.25mm×10mm。 
薄膜鉑熱電阻
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