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展頻技術(shù)在儀表輻射發(fā)射測(cè)試整改中的應(yīng)用

2024/12/5 17:10:43 人評(píng)論 次瀏覽 分類:電子技術(shù)  文章地址:http://m.prosperiteweb.com/tech/2134.html

昌暉儀表結(jié)合案例分享儀表輻射發(fā)射測(cè)試步驟、輻射發(fā)射測(cè)試結(jié)果分析及展頻技術(shù)在輻射發(fā)射測(cè)試不合格項(xiàng)整改中的應(yīng)用,對(duì)儀表工程師提升儀表電氣兼容性能的設(shè)計(jì)水平有很好借鑒作用。

1、電
磁兼容概述

通俗易懂來說,電磁兼容是指同處于電磁波環(huán)境中能執(zhí)行各自功能的共存狀態(tài),既要求都能正常工作又互不干擾,達(dá)到“兼容”狀態(tài)。

在昌暉儀表網(wǎng)《申請(qǐng)CE認(rèn)證時(shí)EMC測(cè)試內(nèi)容》文章中對(duì)EMC電磁兼容的測(cè)試項(xiàng)目有過詳細(xì)介紹,在電磁兼容試驗(yàn)中,每一個(gè)測(cè)試項(xiàng)目都是通過模擬電磁環(huán)境中的某一種干擾或抗干擾方式對(duì)產(chǎn)品所進(jìn)行測(cè)試,以此評(píng)價(jià)產(chǎn)品干擾或抗干擾的影響程度。如靜電放電抗擾度試驗(yàn)實(shí)質(zhì)上是模擬具有不同靜電電位的物體互相靠近或直接接觸引起的電荷轉(zhuǎn)移,在電荷轉(zhuǎn)移過程中對(duì)電路引起的干擾是否造成電子產(chǎn)品功能紊亂,從而評(píng)價(jià)被測(cè)設(shè)備靜電放電抗干擾程度;電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)實(shí)質(zhì)上是一連串的暫態(tài)脈沖(脈沖群)騷擾,是否會(huì)引起電路乃至設(shè)備的誤動(dòng)作或性能降低,從而評(píng)價(jià)設(shè)備能正常工作抗暫態(tài)脈沖(脈沖群)的干擾程度;還有其它電磁兼容試驗(yàn)項(xiàng)目如工頻磁場(chǎng)抗擾度、浪涌抗擾度、振鈴波抗擾度、射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)抗擾度、脈沖磁場(chǎng)抗擾度以及電壓變化、電壓波動(dòng)和閃爍試驗(yàn)、傳導(dǎo)騷擾等等。 其中有一個(gè)非常重要的測(cè)試項(xiàng)目輻射發(fā)射又稱輻射騷擾(以下稱之為輻射發(fā)射),主要是指能量以電磁波的形式由源發(fā)射到空間,并在空間傳播的現(xiàn)象,對(duì)周圍環(huán)境中的設(shè)備是否造成干擾。

輻射發(fā)射測(cè)試是電磁兼容的重要內(nèi)容,也是測(cè)試最不容易通過的項(xiàng)目。不同的設(shè)備測(cè)試輻射發(fā)射,都需選取相應(yīng)的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn),按照不同的設(shè)備等級(jí)或分類,來確定被測(cè)試設(shè)備EUT的測(cè)量限值或測(cè)試需求。

2、輻射發(fā)射測(cè)試和結(jié)果分析
輻射發(fā)射測(cè)試能力和整改水平,是衡量一個(gè)實(shí)驗(yàn)室電磁兼容水平最直觀的因素。
①輻射發(fā)射測(cè)試示意圖

輻射發(fā)射測(cè)試示意圖

 圖1    輻射發(fā)射測(cè)試示意圖

◆ 測(cè)試設(shè)備:EMI接收機(jī)、高/低頻接收天線、天線塔、測(cè)試軟件等。

測(cè)試環(huán)境:電波暗室。
測(cè)量距離:是指EUT最接近天線的一點(diǎn)與天線中心在地面上投影間的距離。分為3米法和10米法。
天線高度:天線距離地面的高度應(yīng)在規(guī)定的范圍內(nèi)變化,以便獲得直射波和反射波同相位時(shí)會(huì)出現(xiàn)的最大讀數(shù)。測(cè)試時(shí),天線有水平和垂直兩種狀態(tài),天線高度在1米到4米間上下變化。
頻率范圍:30MHz-18GHz。

②輻射發(fā)射測(cè)試過程中的關(guān)鍵步驟
a、將EUT放置于測(cè)試桌子上,按相應(yīng)產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)擺放EUT;
b、打開EUT電源開關(guān),將EUT調(diào)到正常工作模式進(jìn)行測(cè)試;
c、按EUT產(chǎn)品設(shè)定標(biāo)準(zhǔn)限值和測(cè)試頻率,點(diǎn)擊測(cè)試軟件進(jìn)行測(cè)試;
d、測(cè)試先用峰值檢波器預(yù)掃,測(cè)試結(jié)果以準(zhǔn)峰值為準(zhǔn),準(zhǔn)峰值大于標(biāo)準(zhǔn)限值則不合格,準(zhǔn)峰值小于標(biāo)準(zhǔn)限值則合格;
e、打開EUT另一個(gè)工作模式,重復(fù)3到4的測(cè)試,直到EUT的工作模式測(cè)試完。其中只要有一個(gè)工作模式不合格則該產(chǎn)品輻射發(fā)射不合格。

③輻射發(fā)射測(cè)試數(shù)據(jù)
如測(cè)試30MHz-6GHz頻段不合格結(jié)果圖情形

30MHz-1GHz頻段不合格結(jié)果

圖2  30MHz-1GHz




圖3  1GHz-6GHz


造成輻射發(fā)射超標(biāo)的原因是多方面的,如接口濾波不好,結(jié)構(gòu)屏效低,電纜設(shè)計(jì)有缺陷都有可能導(dǎo)致輻射發(fā)射超標(biāo),但產(chǎn)生輻射的原因存在于不同的設(shè)計(jì)階段。

④在元器件布局階段注意事項(xiàng)
a、接口信號(hào)的濾波、防護(hù)和隔離等器件是否靠近接口連接器放置,先防護(hù),后濾波;電源模塊、濾波器、電源防護(hù)器件是否靠近電源的入口放置,盡可能保證電源的輸入線最短,電源的輸入輸出分開,走線互不交叉;
b、晶體、晶振、繼電器、開關(guān)電源等強(qiáng)輻射器件或敏感器件是否遠(yuǎn)離單板拉手條、連接器;
c、濾波電容是否靠近IC的電源管腳放置,位置、數(shù)量適當(dāng);
d、時(shí)鐘電路是否靠近負(fù)載,且負(fù)載均衡放置;
e、接口濾波器件的輸入、輸出是否未跨分割區(qū);除光耦、磁珠、隔離變壓器、A/D、D/A等器件外,其它器件是否未跨分割區(qū)。

⑤在PCB布線階段注意事項(xiàng)
a、電源、地的布線處理無地環(huán)路,電源及與對(duì)應(yīng)地構(gòu)成的回路面積??;
b、差分信號(hào)線對(duì)是否同層、等長(zhǎng)、并行走線,保持阻抗一致,差分線間無其他走線;
c、時(shí)鐘等關(guān)鍵信號(hào)線是否布內(nèi)層(優(yōu)先考慮優(yōu)選布線層),并加屏蔽地線或與其他布線間距滿足3W原則,關(guān)鍵信號(hào)走線是否未跨分割區(qū);
d、是否無其他信號(hào)線從電源濾波器輸入線下走線,濾波器等器件的輸入、輸出信號(hào)線是否未互相并行、交叉走線。

3、產(chǎn)品輻射發(fā)生測(cè)試案例與整改攻略
①產(chǎn)品輻射發(fā)射測(cè)試案例
本文進(jìn)行輻射發(fā)射測(cè)試的產(chǎn)品為野外攝像機(jī),內(nèi)分核心控制板、sensor 板、攝像頭、SD 存儲(chǔ)卡和電池五部分組成,外殼為塑膠殼,小板僅有兩個(gè)接口:DC5V 外接電源接口和數(shù)據(jù)傳輸?shù)腢SB 接口。經(jīng)過輻射測(cè)試發(fā)現(xiàn)有33MHz 左右的諧波雜訊輻射問題。
原始測(cè)試數(shù)據(jù)如下:



圖4 測(cè)試圖


②問題分析

該產(chǎn)品外殼結(jié)構(gòu)塑膠外殼,是非屏蔽材料,整機(jī)測(cè)試只有電源線和USB 線引出殼體,難道干擾頻點(diǎn)是由電源線和USB線輻射出來的嗎?故分別作了一下幾步測(cè)試:
a、僅在電源線上加磁環(huán),測(cè)試結(jié)果:改善不明顯;
b、僅在USB 線上加磁環(huán),測(cè)試結(jié)果:改善仍然不明顯;
c、在USB 線和電源線都加磁環(huán),測(cè)試結(jié)果:改善較明顯,干擾頻點(diǎn)整體有所下降。
從上可得,干擾頻點(diǎn)是從兩個(gè)接口帶出來的,并非是電源接口或USB接口的問題,而是內(nèi)部干擾頻點(diǎn)耦合到這兩個(gè)接口所導(dǎo)致的,僅屏蔽某一接口不能解決問題。
經(jīng)過近場(chǎng)量測(cè)發(fā)現(xiàn),干擾頻點(diǎn)來之于核心控制板的一個(gè)32.768KHz的晶振,產(chǎn)生很強(qiáng)的空間輻射,使得周圍的走線和GND都耦合了32.768KHz諧波雜訊,再通過接口USB線和電源線耦合輻射出來。而該晶振的問題在于以下兩點(diǎn)問題所導(dǎo)致的:
◆ 晶振距離板邊太近,易導(dǎo)致晶振輻射雜訊。
◆ 晶振下方有布信號(hào)線,這易導(dǎo)致信號(hào)線耦合晶振的諧波雜訊。
◆ 濾波器件放在晶振下方,且濾波電容與匹配電阻未按照信號(hào)流向排布,使得濾波器件的濾波效果變差。

輻射發(fā)射測(cè)試產(chǎn)品電路板晶振位置

圖5  輻射發(fā)射測(cè)試產(chǎn)品電路板晶振位置


③解決對(duì)策

根據(jù)分析得出以下對(duì)策:
a、晶體的濾波電容與匹配電阻靠近CPU 芯片優(yōu)先放置,遠(yuǎn)離板邊;
b、切記不能在晶體擺放區(qū)域和下方投影區(qū)內(nèi)布地;
c、晶體的濾波電容與匹配電阻按照信號(hào)流向排布,且靠近晶體擺放整齊緊湊;
d、晶體靠近芯片處擺放,兩者間的走線盡量短而直。
可以參考如下圖布局方式:



圖6 布局圖


經(jīng)整改后,樣機(jī)測(cè)試結(jié)果如下:



圖7 測(cè)試結(jié)果圖

④結(jié)論

現(xiàn)今很多系統(tǒng)晶振現(xiàn)今很多系統(tǒng)晶振時(shí)鐘頻率高,干擾諧波能量強(qiáng);干擾諧波除了從其輸入與輸出兩條走線傳導(dǎo)出來,還會(huì)從空間輻射出來,若布局不合理,容易造成很強(qiáng)的雜訊輻射問題,而且很難通過其他方法來解決,因此在PCB板布局時(shí)對(duì)晶振和CLK信號(hào)線布局非常重要。

4、儀表輻射發(fā)射測(cè)試整改攻略之展頻技術(shù)

上述整改手法比較常規(guī),對(duì)輻射發(fā)射超標(biāo)情況,尤其是晶振問題造成的,最有效的手段就是展頻技術(shù)。

展頻原理

圖8  展頻原理


展頻應(yīng)用

圖9 展頻應(yīng)用

展頻特點(diǎn)

圖10 展頻特點(diǎn)

展頻前測(cè)試結(jié)果

圖11 展頻前測(cè)試結(jié)果

展頻后測(cè)試結(jié)果

圖12  展頻后測(cè)試結(jié)果


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