半導體參數(shù)精密分析儀主要由大功率電源/測量單元、中功率電源/測量單元、大電流電源/測量單元、高壓電源/測量單元、中電流電源/測量單元、多頻率電容測量單元、超大電流擴展器等部分組成，通過加壓測流和加流測壓模式實現(xiàn)IV、CV曲線掃描，從而完成二極管、晶體管、場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等半導體器件的擊穿電壓、泄漏電流、結(jié)電容等參數(shù)的精密測試。
半導體參數(shù)精密分析儀的計量特性
1、直流電流輸出
①輸出范圍：±(1pA~10μA)；最大允許誤差：±(0.3%~6%)。
②輸出范圍：±(10μA~10A)；最大允許誤差：±(0.05%~0.5%)。
2、直流電流測量
①測量范圍：±(1pA~10μA)；最大允許誤差：±(0.08%~6%)。
②測量范圍:±(10μA~10A);最大允許誤差:±(0.05%~0.5%)。
3、直流電壓輸出
輸出范圍：±(100mV~3000V)；最大允許誤差：±(0.05%~0.2%)。
4、直流電壓測量
測量范圍：±(100mV~3000V)；最大允許誤差：±(0.05%~1%)。
5、脈沖電流
測量范圍：±(10A~1500A)；最大允許誤差:±(0.5%~2%)；單脈沖，脈沖度：250μs~10ms。
6、頻率
輸出范圍：1kHz~5MHz；
最大允許誤差：±0.01%；
工作電平:10mV~10V；
工作波形：正弦波。
7、電容測量
測量范圍：1pF~100nF；
最大允許誤差：±(0.1%~1%);
工作電平：10mV~10V；
工作頻率：1kHz~5MHz。
注：以上技術指標不作合格性判別，僅提供參考。
JJF2009-2022半導體參數(shù)精密分析儀校準規(guī)范目錄
引言(Ⅱ)
1 范圍(1)
2 引用文件(1)
3 概述(1)
4 計量特性(1)
4.1 直流電流輸出(1)
4.2 直流電流測量(1)
4.3 直流電壓輸出(2)
4.4 直流電壓測量(2)
4.5 脈沖電流(2)
4.6 頻率(2)
4.7 電容測量(2)
5 校準條件(2)
5.1 環(huán)境條件(2)
5.2 測量標準及其他設備(2)
6 校準項目和校準方法(4)
6.1 校準項目(4)
6.2 外觀和工作正常性檢查(4)
6.3 直流電流輸出(4)
6.4 直流電流測量(6)
6.5 直流電壓輸出(7)
6.6 直流電壓測量(8)
6.7 脈沖電流(9)
6.8 頻率(10)
6.9 電容測量(11)
7 校準結(jié)果表達(11)
8 復校時間間隔(12)
附錄 A 原始記錄格式(13)
附錄 B 校準證書內(nèi)頁格式(17)
附錄 C 主要項目校準不確定度評定示例 (21)
說明
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